闪存引爆消费电子新革命

　　联想X300和苹果MacBookAir相继用上了SSD闪存硬盘、诺基亚和索尼爱立信的最新旗舰手机用上了16GB的闪存，从今年开始，PC和消费电子抛弃硬盘拥抱闪存已是大势所趋。日前，英特尔发布小于一枚一美分硬币、重量比一滴水还轻的闪存芯片，同时发布了容量高达160GB的SSD闪存硬盘，并称闪存硬盘技术将在10年内性能提升50倍；数码影像巨头佳能在推出基于闪存的高清DV后也表示未来DV的存储介质将统一到闪存之下。笔记本电脑、MP3/MP4播放器、数码摄像机等产品都将大面积采用闪存硬盘，而移动硬盘可能不久将成为历史。

　　英特尔推160GB闪存硬盘

　　英特尔日前的最新展示成果包括业界最小的闪存芯片和容量最大的闪存硬盘，这些闪存新品将在今年年中上市。

　　其中，型号为Z-P140的闪存芯片分为2GB和4GB两种储存容量，重量仅为0.6克，数据读写速度分别为40MB/秒和30MB/秒，平均故障间隔时间达到了250万个小时。通过该芯片的叠加可以造出适用于笔记本电脑的大容量SSD闪存硬盘，并可用于任何支持PATA端口的消费电子产品。

　　此外，英特尔也发布了SSD闪存硬盘产品，包括1.8英寸以及2.5英寸规格、容量从80GB至160GB，同时基于SATAII规范，可提供3Gb/秒的传输速度。

　　据悉，三星和东芝将在年中推出128GB的SSD闪存硬盘，英特尔抢先推出160GB的同类产品，被认为是借助在PC行业的影响力挑战三星、东芝等厂商的举动。

　　闪存硬盘十年可提升50倍

　　作为引领PC硬件产业的芯片巨头，英特尔的最新技术成果在其大力推广下，闪存全面进驻笔记本电脑很可能将在几年内实现。英特尔甚至认为，2008年将是SSD固态硬盘之年，以固态硬盘形式出现的闪存将被用于个人电脑的主要存储设备，其前景有可能超过CPU市场机会。

　　根据英特尔的生产计划，其闪存芯片的制造工艺将向45纳米发展，预计在2008年开始采用45纳米技术，预计将可把45纳米内存芯片的体积缩小到65纳米工艺的一半左右。

　　英特尔副总裁兼NAND闪存业务部总经理RandyWilhelm日前也表示，1996年以后大约十年内CPU的性能提高到了原来的约30倍，而硬盘的性能只提高了1.3倍。而使用NAND闪存的SSD硬盘与现有硬盘相比，十年内性能可以提高50倍。