技术创新需多方合作

　　技术创新需多方合作

　　如今，半导体产业垂直分工日益细化，晶圆代工厂与IC设计公司彼此间的领域划分也相当分明。工艺制程技术的档次越高，集成电路产品设计与制造、封测各环节之间的关联性、协同性要求也就越高。先进工艺需要设计公司、晶圆厂共同定义工艺要求，并将产品参数优化放到首位。据莫大康先生透露，在45纳米节点，单个产品的设计成本高达2000万美元至5000万美元，一套掩模的费用将达900万美元。所有这些使得设计的研发风险逐渐提高，促使Fabless(无工厂)模式不断进步和发展，最大变化在于Fabless与代工厂在工艺上的合作更加紧密。

　　为了在IC设计与制造之间架起一座桥梁，提高集成电路的生产效率和良率，降低生产成本，缩短产品上市时间，DFM(可制造性设计)应运而生。中芯国际集成电路制造(上海)有限公司可量产设计及制程模拟处张立夫处长表示，当器件特征尺寸小于100纳米时，要开发出成熟的新工艺并使产品生产达到稳定的良率，需耗时数年、耗资数十亿美元，因此DFM就显得尤为必要。DFM对晶圆代工厂提出了更高的要求，张立夫指出：“晶圆代工厂不仅要在DFM流程的前期就向IC设计公司提出可制造的解决方案，还应该与设计公司合作，参与DFM流程的制定。”

　　EDA(电子设计自动化)工具供应商也与代工厂形成更紧密的关系。EDA工具供应商必须与代工厂一起工作才能开发出更好的具有可制造性IC设计工具。与此同时，他们也必须与芯片设计公司一起工作以开发出能缩短设计周期和改进性能的工具。

　　客户也必须在前期付出相当大的努力来确保他们选择的代工厂拥有EDA工具合作伙伴、单元库和能满足项目需要的其他合作伙伴。客户与代工厂之间的对话开始得越早，设计成功的机会就越大。

　　国内企业强调自身特色

　　国内IC制造企业由于实力相对较弱，因此在技术创新过程中选准突破口就显得尤为重要，市场前景、研发成本等因素都值得慎重考虑。

　　与标准CMOS工艺相比，特殊工艺所受到的降低特征尺寸的压力较小，研发与生产成本也相对较低，因此颇受本土集成电路制造企业的关注。华虹NEC市场部总经理姚泽强告诉本报记者，面对不同的市场需求，华虹NEC将更加关注嵌入式技术、BCD(双极-CMOS-DMOS)技术、射频技术、高压技术以及逻辑技术等领域。华虹NEC针对市场对微处理器、通信类、消费类和智能卡等IC产品的需求，开发了性价比较高的0.25微米CMOS工艺技术平台，集成了领先的闪存技术，为SoC(系统级芯片)产品提供了大容量的程序存储空间。此外，华虹NEC开发了针对SoC产品的IP(集成电路知识产权)资料库，创新性地为客户提供特定IC产品的IP整体解决方案，解决了IC产品设计阶段众多IP的集成困难，缩短了产品的开发周期，提高了产品的开发成功率。

　　和舰科技以现有的工艺平台为基础，通过集成创新开发出更先进的生产工艺，在其 0.18微米CMOS工艺平台的基础上开发了0.162微米工艺，具有低成本、工艺成熟的优点，并填补了中国IC制造厂在该领域的空白。

　　功率半导体器件也是国内企业关注的重点。一方面，随着消费电子产品、移动通信产品等功能的日益多样化，电源管理已经成为越来越重要的设计挑战；另一方面，随着功率器件技术向大功率、高电流密度、高耐压方向发展，在电动自行车，电动工具，汽车电子等方面越来越多地引入功率半导体器件。以华虹NEC的大功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)模块工艺为例，该技术克服了以短沟效应为首的等比例缩小所带来一系列问题，同时，成功将肖特基二极管屏蔽栅电容结构的MOSFET防静电保护二极管瞬态电压钳制单元集成到现有电源管理模块中，大大丰富了工艺子平台的多样性和模块整体的功能。