中芯国际推增强型90纳米参考流程

　　新浪科技讯 美国东部时间2月26日8:00(北京时间2月26日21:00)消息，新思科技 (Synopsys) 和中芯国际(NYSE:SMI)今天宣布，将联合推出一个支持层次化设计及多电压设计的增强型90纳米 RTL-to-GDSII 参考设计流程。

　　这一流程受益于当前最先进的逻辑综合、可测性设计 (DFT) 和可制造性设计 (DFM) 技术，其主要特性包括：Design CompilerTM Ultra 产品的拓扑综合 (topographical synthesis) 技术、DFT MAX 产品的扫描压缩技术以及 IC Compiler 布局与布线 (place-and-route) 产品的关键区域分析 (Critical Area Analysis) 技术。这些技术的完美融合有助于降低片上系统 (SoCs) 的实施和测试成本。

　　这一参考流程还采用了 IC Compiler 中的关键区域分析 (CAA) 技术来确定随机颗粒缺陷对成品率的影响。通过采用 CAA，设计人员可以识别出成品率损失较大的电路结构，并在生产前采取纠正措施。这一流程中的其它 DFM 功能包括连线过孔的优化以及插入填充去耦单元 (filler cell and filler cap)。(孟帆)