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莫大康:若无规模生产的工艺 英特尔无以为继

http://www.sina.com.cn 2007年12月20日 16:59  比特网ChinaByte

  比特网(ChinaByte) 12月20日消息(王培垠) 目前,半导体行业的领导企业英特尔已经采用了低k介质材料和高k介质的金属栅极,SiON化合物将逐渐被替代,那么是不是未来将有新的材料采用于晶体管半导体的设计,硅材料是否会推出历史舞台?

  在晶体管诞生60周年的时候,比特网(ChinaByte)采访了半导体行业著名学者、评论家莫大康先生。

  莫大康对比特网(ChinaByte)表示:“首先我们从历史看,当时为什么会从锗变成硅,锗最大的问题是无法平面化,没有工艺。”

  1963年莫大康刚刚进入科学院就是研究锗这种材料,莫大康回忆到:“当时做晶体管都是拿手工做的,用一种胶覆盖起来当绝缘层。而硅最大的优点就是平面化,工艺生命力非常之强。”

  至于说未来的全新材料,“英特尔采用高k金属栅极,是局部工艺的变化,局部材料变化一定会进步,但是从根本上替代硅从目前来讲应该还有一段时间。下一步走无非是纳米管,材料的发展根本性的,真正要去掉硅可能还有相当长的时间,至少五十到一百年。”

  莫大康介绍到,材料创新很厉害。根据资料,半导体工业刚开始的时候就十几种元素,现在已经有几十种了,整个元素也就大概一百多种。

  对于半导体行业真正的价值,莫大康认为:“材料创新是根本性的。产业链转移的是基本附加值,如果没有附加值,再好的技术也无法实现好的经济效益,投资回报率不高什么都搞不下去,这是工艺的最基本点。否则技术好只能看,工艺上无法推行。”

  对于目前英特尔的工作,他评价道:“目前英特尔之所以把CPU工业推下去,经济效益好,是因为它的工艺可以大规模的生产,没有这个,英特尔不能支撑下去。”

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