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海力士明年量产54纳米DRAM芯

http://www.sina.com.cn 2007年11月27日 08:01  赛迪网

  【赛迪网讯】11月27日消息,海力士(Hynix)半导体公司本周日表示,它计划于明年下半年开始量产54纳米的DRAM芯片。

  据国外媒体报道称,与目前的66纳米工艺相比,54纳米工艺能够将生产效率提高40%。

  7月份,三星采用50纳米工艺的1Gb DRAM芯片通过英特尔的验证。

  (责任编辑:胡祥宝)

  作者:刘彦青

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