代工厂开辟市场新路 设计公司强调紧密配合

　　中芯国际大中国区北方销售总监何卫：

　　加大研发投入 拓展技术领域

　　国内设计公司在尖端技术方面的需求没有国外同业那么强烈，但对嵌入式EEPROM、嵌入式Flash、CIS/LCOS、RF射频CMOS、HV高压制程、Bipolar、BCD等工艺都有强烈的需求。国内客户倾向于避免与国外大企业在市场上发生正面冲突，而试图在一些应用方面出奇制胜，在细分市场上站住脚，进而发展壮大。随着时间的推移和设计技术的提高，国内设计公司对先进技术的需求将逐步显现出来，中芯国际在国内市场的份额也将进一步提升。

　　针对国内客户的上述需求，中芯国际正在加大人力和资金的投入进行研发。一方面向工艺的深度发展；一方面向工艺的宽度发展，开发各种特色工艺，以满足国内产品多样化的需求。中芯国际的这些特色工艺可生产智能卡类、图像传感器及微显示、射频前端、LCD/TFT显示驱动IC、以及电源管理及功率器件等，工艺的技术水平目前不追求90纳米或65纳米深亚微米，而是在0.35微米-0.18微米这些成熟的CMOS工艺技术上，不断丰富器件模型，横向开发不同用途的特色工艺制程技术。不同的技术，我们有不同的进度安排。

　　我们会根据市场及客户的需求，适时提供制造技术服务。这些CMOS系列的特色工艺，除了部分工艺我们与关系密切且具有一定实力的伙伴合作开发外，大部分我们都是自主开发的，中芯国际要走自主开发为主，加强合作研发和必要的技术引进相结合的路子。这几年，我们公司投入的研发资金都占销售额的6%-8%，随着时间的推移，每年投入的资金总量和人力还将进一步加大。

　　我们会选取那些对设计及对工艺理解都比较强的设计公司作为我们的策略合作伙伴，共同开发适应市场需求的合格产品，我们为他们量身定做相应的适合他们产品特点的工艺。一些工艺还是有一定难度的，但我们既然同在一条船上，就只能同舟共济，发挥各自的优势，实现共赢。

　　上海华虹NEC电子有限公司市场部总经理姚泽强：

　　专注特殊工艺 探寻差异化道路

　　面对不同的市场需求，华虹NEC的晶圆代工业务主要面向5大技术领域，即嵌入式技术、BCD技术、射频技术、高压技术以及逻辑技术。

　　华虹NEC的EEPROM嵌入式非易失性存储技术目前采用0.35μm和0.18μm工艺，就晶圆代工而言，0.18μm工艺在EEPROM嵌入式领域已经是世界最先进的了。而华虹NEC的嵌入式Flash技术目前采用0.25μm工艺，到年底将推出0.13μm工艺，这无论在Foundry厂还是IDM厂都是全球最先进的工艺。

　　华虹NEC的BCD技术主要面向电源管理产品。电源管理是当前市场的热门应用领域，其全球市场年增长率在两位数以上，而中国市场的增长率更是接近20%。华虹NEC在模拟和混合信号领域有相当深厚的基础，将采用0.35μm工艺进行BCD产品的生产，这也处于全球领先地位。最近，已有电源领域的世界知名企业与华虹NEC签署了合作协议；在该领域，本土企业虽然仍处于起步阶段，但也有不少企业在华虹NEC的生产线上流片。

　　在射频技术方面，华虹NEC早已从Jazz引进一系列射频工艺，主要采用0.25μm和0.18μm工艺，并将根据市场的需求在适当时候启动0.13μm工艺的研发工作。最近已有客户与华虹NEC合作，生产用于手机和

数字电视的射频芯片，并且产品已进入量产。此外，华虹NEC的高压器件主要用于显示驱动，世界上前三大显示驱动厂商都曾是华虹NEC的客户。而逻辑器件则针对消费类电子的应用，采用0.25μm和0.18μm工艺。华虹NEC在追求工艺技术先进性的同时，更强调产品的市场针对性，专注于特殊工艺，否则巨大的投资也未必能产生良好的回报。

　　在技术引进方面，华虹NEC在不同的技术平台都有不同的合作伙伴，并倾向于选择各个技术节点最先进、最具竞争力的技术。

　　上海宏力半导体制造有限公司市场行销副总经理陈卫：

　　联合科研机构 寻求自主创新

　　宏力半导体将自身发展定位在从市场需求出发，细分工艺技术市场的开发，在产品的特色工艺开发上下功夫；同时与国内正在从事相关研究的科研院校充分合作，努力建设具有自主知识产权的工艺技术平台。

　　在嵌入式闪存器件工艺方面，宏力半导体开发、量产的分栅闪存工艺在国内居领先地位，业已荣获“2006年度上海市科技进步一等奖”，正在开发的0.18μm及0.15μm嵌入式闪存(Embedded Flash)技术以及规划中的0.13μm嵌入式闪存技术属于世界前沿的嵌入式非挥发性存储(Non-volatile Memory)工艺技术。

　　宏力的自对准SuperFlashSM 闪存技术拥有独特的优势：其单元设计是逻辑兼容的；分栅单元设计造就了灵活的架构，只需少量简单的外围电路就能支持存储器操作，而无需任何状态机或算法操作；闪存存储单元基于厚氧化物遂穿技术，耦合氧化物不会因高电场强度而受损，因此器件在使用寿命内具有很高的可靠性。

　　在高压及电源管理器件工艺方面，目前0.18μm LP 32V正是现在市场上应用的最多技术，而宏力已经拥有了比此更先进的0.16μm 32V和0.15μm 30V的高压工艺技术，自主开发的与逻辑器件无缝集成的横向高压器件已进入规模生产，在国内居领先地位。宏力自主开发的横向高压器件与逻辑器件无缝集成有以下技术特点：高压器件尺寸小，性能可靠，集成度高；利用氮化物阻挡层生长高压区栅氧化物；在保证逻辑器件特性的基础上，成功解决了高压器件特有的栅氧化物完整性退化的问题；避免了工艺复杂度热预算增加对逻辑器件性能的影响。

　　宏力半导体在2007年呈现出了前所未有的良好的经营状况。从2006年至今，产能持续增加，目前达到月产3万片8英寸晶圆的产能。产能利用率也从2005年底的不足70%到今年整年度全部满产。而且据明年的订单预计，满产的状况会持续明年一整年。

　　和舰科技(苏州)有限公司研究发展处处长林志光：

　　立足本土市场 支持国内客户

　　和舰科技提供非常具有竞争力的嵌入式非挥发性记忆体工艺，包含目前已经量产的0.25微米嵌入式E方(e-EEPROM)工艺，0.18微米的嵌入式闪存(e-flash)及正在研发的0.13微米嵌入式闪存工艺。以0.25微米的嵌入式E方工艺来说，其主要的特点是面积小、低功耗，并且可靠度非常好，提供的巨集(macro)从128B至32KB，可以支援串行及并行接口，特别适合用在高端交通卡及电子客票上。另一方面，0.18微米的嵌入式闪存工艺主要是应用在手机内的SIM卡及高端的MCU，和舰所提供的巨集具有面积小及极佳的可靠度(20年资料储存及20万次的擦写)，正适合SIM卡的应用，涵盖从64KB到384KB的容量范围。未来的重点将会是在0.13微米嵌入式闪存工艺的开关，除了保存现有的极佳可靠度外，面积的缩小、容量的增大及功耗的降低将可使和舰继续保有现在的优势。

　　和舰的高压工艺主要是应用LCD面板的驱动IC上，在小尺寸的应用方面，主要是在0.3微米、0.18微米甚至更先进的工艺，目前都已完成验证。而在大尺寸的面板驱动IC方面，目前主要是集中在0.3微米工艺，所涵盖的范围从13.5V、16.5V、18V到20V，未来将开发0.18微米的工艺。除了显示屏驱动IC外，和舰科技也在积极开发电源管理类的应用及相关的高压工艺。

　　立足于苏州，和舰科技主要着眼于中国内地巨大的发展潜力。当然我们也特别重视对中国内地设计企业的支持，除了于2006年推出的free shuttle program(免费的多项目晶片服务)外，和舰总是优先满足中国内地客户的产能需求。另一方面，我们一直强调的是强化客户的竞争力，希望凭借良率的提升，进一步强化客户的竞争力，因为只有当客户能在市场上有足够的竞争力，和舰才可能有机会获得订单。

　　中纬积体电路(宁波)有限公司总经理室李东生：

　　利用产业优势 突破重点产品

　　中纬公司工艺制程在应用上取得新的突破，在现有

液晶面板驱动IC及背光显示电源管理IC的晶圆制造服务基础上又跨进了一步。近期，国内知名设计公司在中纬模拟及混合信号制程的基础上研发的电阻式触摸屏控制IC通过了产品验证进入量产，第一批产品的良率高达96%。

　　随着信息移动装置类消费性电子产品的热销，触摸屏技术得到了迅速发展，其中电阻式触摸屏技术的应用已经十分广泛。目前，电阻式触摸屏市场已经涵盖了100多家触摸屏元件制造商中的2/3。根据花旗环球

证券的估计，触摸屏IC市场2006年至2009年的年复合增长率高达45%，出货量也将从2006年的5900万颗增至2009年的1.88亿颗。采用电阻式触摸屏技术在全球出货量的比重高达85%，是现阶段触摸屏技术的主流，也是国内IC业者今后在此类产品上主要成长突破点。

　　中纬公司和策略伙伴及一些国内颇具影响力的信息移动装置客户均普遍看好当前信息移动装置配套IC市场的强劲需求，对市场前景充满了信心。此次电阻式触摸屏控制IC在中纬的成功量产，更是得益于客户的支持以及对信息移动装置产品市场的共同认可和追求。中纬公司充分利用国内信息移动装置上下游的产业优势，使制程应用不断推陈出新，除了此次电阻式触摸屏控制IC成功量产外，还与相关国内设计公司合作成功研发了音频功放、锂电池充电、LED背光及麦克风放大器等整体化系列信息移动装置配套IC产品。

　　中纬公司一直积极与国内IC设计公司合作，共同致力于国内IC市场的开拓，运用MPW服务模式与国内信息移动装置产业配套IC厂商合作，不断推动整个产业链的良性持续发展。

　　Altera公司技术开发副总裁Mojy Chian：

　　密切配合代工企业 强化验证提升良率

　　Altera主营业务是PLD(可编程逻辑器件)产品，2006年销售额为12.9亿美元，其中FPGA销售在2006年达到了9.09亿美元，约占总销售额的70%。

　　Altera多年来只选择与TSMC合作,已经与TSMC合作了十多年。我们在最新工艺节点的产品发布上有很好的记录，例如顺利无误地推出90nm和65nm产品。Altera目前正在与TSMC合作45nm工艺产品，明年底我们将共同推出45nm的产品。

　　在开发65nm的时候，我们在解决低功耗方面花了相当长的时间。在推出65nm Cyclone III器件时，我们首次使用了TSMC的65nm(9层金属、全铜)低功耗(LP)工艺技术，在300mm硅片上生产，设计实现了低泄漏和低动态功耗。这标志着Altera第一次使用TSMC成熟的LP工艺获得成功。

　　TSMC的65nm LP工艺针对便携式和消费类市场进行了精确调整，具有最低的静态功耗和动态功耗，例如DVR、手持式设备和便携式媒体播放器等市场领域。这对于我们快速推出45nm产品提供了有力的保障。

　　IC设计公司与代工厂之间的合作应该是非常紧密的，Altera与TSMC从高层到工程师都有非常紧密的互动，就像一家公司的不同部门，这点非常重要，这样我们可以分享彼此开发的技术，可以保障我们的成功。我们与TSMC的合作是全方位的，此外，我们有几个小组就常驻在TSMC，专门解决工艺、验证等不同的问题。

　　我们在提升良率方面特别强调在生产过程中的验证，多几次验证对提高流片的成功率非常有效，但不是每个公司都有这样的开发预算，所以不是每个公司都能这样做。