三星成功开发新型闪存芯片 存储容量翻番

　　三星公司本周二表示他们已经开放出了一种更先进的闪存芯片，能提高音乐播放器等数字产品的存储容量。

　　据悉，三星发布的64GB NAND闪存芯片使用了更精密的生产工艺，其电路元件宽度只有30纳米。一纳米相当于十亿分之一米，人的头发直径大约是80000纳米。

　　三星在一份声明中表示，“在这个闪存已经成为运算及数字应用的主要存储介质、需求呈爆炸性增长的年代，这种闪存设备代表着在更高密度闪存存储解决方案方向上的一个重大飞跃。”

　　三星称他们是全球首家开发这种芯片的，这种新芯片标志着他们连续第八年让NAND闪存的存储密度翻番，连续第七年提高纳米技术，而量产预定从2009年开始启动。

　　使用更精密生产工艺技术的好处是能在单一

　　三星公司同时还生产用于个人电脑的动态随机存储芯片(DRAM)。去年，他们发布了一种基于40纳米工艺的32GB NAND闪存芯片。

　　三星发言人Chae Su-yeon表示，这种芯片会从明年开始投产。而在目前，三星闪存芯片的生产主要使用50纳米加工工艺。