NAND晶圆厂产能竞赛 闪存卡售价恐再跌一半

　　【10月23日太平洋电脑网讯】虽然今年均价下跌超过7成，但是全球前三大NAND闪存芯片供应商三星、Hynix、东芝Sandisk于近期陆续召开Q3股东大会时均透露出明年将继续扩大NAND产能并且改进生产工艺的消息。

　　产能上，三星和Hynix均预估明年NAND市场年增长率将达到120%左右，而Sandisk则透露出，和东芝合资的新12英寸晶圆厂开始量产，明年月产能将由目前的15万片扩充至21万片。

　　生产工艺上，三星预估明年中全面量产51nm制程，Hynix则表示起57nm制程良率已经大幅提升，东芝也将在明年导入56nm制程。此外，相关厂商还透露NAND厂商在相关生产技术下去的突破，明年下半年每单位容量3bit(3bit per cell)NAND闪存芯片开始投产后，产能可能出现飞跃。换句话说现在每单位容量1bit的8Gb NAND芯片生产线，如果在明年导入新的多位元技术，就可以生产出24Gb高容量的NAND芯片。

　　同时相关市调机构均预估，明年NAND晶圆产能有望首次超过DRAM晶圆产能。

　　相关厂商透露，明年市场增长主要来至手机对闪存卡需求增长将超过50%，并且笔记本和多媒体手机也都将开始内建高容量SSD闪存硬盘。不过，相关业内人士也都预估，明年NAND闪存芯片价格将由于产能扩充而继续下滑，届时16Gb NAND芯片售价将会跌破5美元。

　　PConline产业资讯频道观察到，目前主流2GB SD存储卡中，普速卡售价已逼近百元，多数报价100~110元；高速卡售价相比前两月有不小下滑，从接近200元的售价下跌至140元左右。如果相关预估成为现实，届时4GB SD存储卡售价恐将也跌至百元附近。