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IBM推出硅通道 突破芯片堆叠制造发展障碍

http://www.sina.com.cn 2007年04月16日 10:07  ZDNet China

  CNET科技资讯网 4月16日国际报道:IBM公司上周日宣布,已经突破芯片堆叠技术的发展障碍,新方法可以提高芯片运算,而且更省电。

  这项名为“硅通道”(through-sili-convia,TSV)的技术可以提高芯片每秒的数据传输速度,节约耗电。IBM的方法是在硅晶片上钻洞,然后在其中注入钨金属,以便将记忆体

  或处理器核心等零件堆叠起来,这种方法可以使芯片当中的线路不需要绕道侧边,从而减少数据传输的距离。

  IBM

半导体研究部的主任WilfriedHaensch说,这就像将停车场改建立体停车场一样,用户不需要走很长距离去找车位。数据信号在迭加的零部件当中往返运行时可以大大缩短距离。

  Haensch说:“我们将在今年年底用这种技术制造无线装置使用的电源管理芯片,新型芯片可比原来的芯片节约40%的耗电。”未来,IB也将把这种技术运用到整颗的微处理器之上,甚至用于“蓝色基因”(BlueGene)超级电脑的微处理器。她说:“这种技术具有广泛的用途,很多产品可以使用它。”据悉,IBM今年年底将推出原型产品,到2008年即可实现商业生产。

  IBM并不是第一个开发TSV技术产品的厂商,此前英特尔也在从事这方面的研究,但IBM可能将率先推出商业产品。

  Haensch说,三到五年之内,TSV有望将记忆体和电源晶片结合在一起,而不必再通过记忆体控制器来中转,如此可提高芯片10%的性能,同时节省耗电20%。

  目前,芯片的数据资料传输主要通过“总线”(bus)来进行,TSV迭加技术可以进一步提高电脑主板的空间利用效率。目前,已经有一部分主板制造商开始用一些迭层技术,

  但电路仍依靠总线来传输,因此无法充分发挥频宽的优势。另外,迭层技术也可能改变芯片销售的方式。电脑制造商有可能会抛弃向不同厂商购买处理器或记忆体的模式,而购买整合型产品。

  英特尔从2005年开始TSV的研发,2006年,英特尔向外界展示了它的80核心处理器,这种产品就是以TSV技术来连接记忆体芯片和处理器核心。英特尔表示,TSV在规模生产之前仍需要解决很多的难题,比如处理器的散热问题等等。

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