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中芯国际同MoSys扩展合作关系http://www.sina.com.cn 2007年03月14日 20:35 新浪科技
新浪科技讯 美国东部时间3月14日8:30(北京时间3月14日20:30)消息，美国高密度系统芯片 (SoC) 嵌入式内存解决方案供应商 MoSys今天宣布，该公司已经同中芯国际(NYSE: SMI)扩展了合作伙伴关系，未来双方将就其新型高密度嵌入式闪存开展合作。 根据协议，两家公司将就通过中芯国际制造工艺生产MoSys 1T-FLASH芯片开展合作。MoSys 1T-FLASH是一款超高密度NOR闪存芯片，未来将通过中芯国际的CMOS生产工艺制造。MoSys 1T-FLASH可以为移动设备开发商和嵌入式微控制器开发商带来巨大的成本优势。(摩尔)
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