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iPhone可能导致闪存价格反弹 DRAM将吃紧http://www.sina.com.cn 2007年03月06日 08:01 eNet硅谷动力
【eNet硅谷动力消息】据境外媒体报道,内存模块制造商A-Data技术公司董事长Simon 陈近日称,在主要NAND闪存制造商有可能削减和约价格的消息传出后,A-Data公司预测近期闪存市场价格将出现反弹。 该董事长称,由于预期苹果公司即将推出的iPhone有可能对其他应用的供货形成压力,主要闪存制造商有可能预先留出闪存供货,因此闪存价格将走向坚挺。 虽然陈董事长将苹果iPhone 视为闪存价格止跌的一个机会,但他警告说,只有稳定的价格增长才能对行业产生积极影响。他重申,iPhone将对整个闪存行业带来积极影响。 除了iPhone,他还说,各种消费电器的需求增长也将有助于在一段时间内刺激内存卡的需求增长。 然而,该董事长又指出,人们对闪存市场的欲求预测有可能影响到DRAM市场。由于苹果的iPhone将很快吃进NAND闪存,为满足需求,内存制造商有可能将产能从DRAM转向NAND闪存,这将减少DRAM内存的市场供应。 作者:老沈
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