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跨进45纳米技术 英特尔40年来最大突破

http://www.sina.com.cn 2007年01月30日 15:49 ZDNet China

  CNET科技资讯网 1月30日国际报道“利用新的金属材料,让晶体管技术面临最大改变。也再次印证了摩尔定律,”英特尔高层表示。

  才在65纳米工艺技术领先AMD将近一年,英特尔又加紧脚步在今年下半年推出45纳米产品(代号为Penryn)。英特尔逻辑技术研发部门45纳米计划经理Kaized Mistry表示,由于采用了被称为high-k的新材料来制作晶体管闸极电介质(transistor gate dielectric),而晶体管闸极的电极(transistor gate electrode)也将搭配采用新的金属材料组合,令即将问世的Penryn得以大幅降低漏电与提升性能。

  “这是自1960年代后期以来,晶体管技术所面临的最大改变,”Mistry表示。在此之前晶体管技术是利用金属氧化

半导体(MOS)引进多晶硅(polysilicon)闸极。不过Mistry不愿透露high-k以及新的金属材料组合的内容为何。

  Mistry是在上周五(1月27日)对亚太区媒体的电话会议中做上述表示,与会者还包括了英特尔逻辑技术研发部门资深人员Mark Bohr以及英特尔DEG事业群副总裁Steve Smith。

  工艺技术一向是芯片厂商持续努力的技术之一。因为更小的工艺意味着芯片本身可以缩得更小,同一片晶圆切割出的芯片更多,制造商可节省成本、提高单位获利;另外,由于之上可以置入更多的晶体管,有助于节省耗电量及增进效能。对致力于开发多核产品的芯片厂商而言尤其重要。

  半导体厂商所信奉的摩尔定律即指出:同样大小的硅芯片内的晶体管数,每隔两年就会加倍一次。

  历经40余年的轮转,摩尔定律在芯片厂商开发出65纳米工艺产品后遇到瓶颈,因为用来制造切换闸极电介质的硅原料,在更小尺度下会出现漏电情况而无法正常运作,并损及芯片的性能。

  “所幸,英特尔研究人员开发出能取代硅的high-k材料,进而使45纳米技术得以问世,”Mistry说。

  根据英特尔提供的资料,相较于65纳米产品,45纳米技术使芯片可以装进将近两倍的晶体管;减少30%的耗电量;性能提升至少20%。

  “英特尔还相信根据此技术,摩尔定律得以继续衍生,”Bohr说。根据英特尔的规划,2009年将迈入32纳米技术;2011年则是22纳米工艺。(旷文溱)

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