顾凡：未来会出现超多核阵列 从10核到100核

　　【eNet硅谷动力消息】全球芯片巨头英特尔公司和IBM公司同时宣布，他们各自采用新合金材料的办法，解决了现有半导体生产中随着晶体管缩小而产生的漏电和发热问题。真如一些业界人士所说的是全球半导体行业自1960年代以来所取得的最大成就吗？硅谷动力记者就此采访了英特尔中国服务器产品事业部产品经理顾凡。

　　顾凡认为，未来会出现超多核阵列，从10核到100核。

　　“自2006年11月14日发布四核处理器以来，英特尔在短短100天内更新了整条产品线，并推出30多款新品。通过在制作工艺和能力上的巨大优势，英特尔完成了一次技术和产品上的突然提速。”

　　“截至2006年英特尔共向市场发售超过7000万片65纳米产品，英特尔在65纳米技术上至少有一年多的领先优势。”

　　“技术蓝图中，英特尔平均每两年有一个技术突破：2003年进入90纳米技术，2005年65纳米，2007年45纳米，2009年32纳米，2011年以后将是22纳米……45纳米工艺的芯片2007将可以实现量产。”

　　“同时，英特尔将致力在高效时代扩展摩尔定律，酷睿微架构与纳米技术的演进交替前行。将不断在芯片上增加核的个数，未来会出现超多核阵列，从10核到100核。”

　　作者：戴娜