台芯片政策再放宽 台积电0.18微米获准西进

　　上海报道 本报记者 黄婕

　　新年伊始，台湾半导体代工业者获知：自2006年12月29日起，台半导体代工企业投资大陆8英寸晶圆的制程技术，将由0.25微米放宽至0.18微米。

　　“我们非常欢迎这一决定，公司正在积极拟定进一步投资大陆的计划。”1月3日，台积电新闻发言人曾晋晧接受记者采访时说。作为首家“受惠”企业，台积电长达两年的赴大陆投资0.18微米制程技术申请，终于获得批准。

　　与此同时，包括台湾力晶半导体、茂德半导体在内的台湾主要半导体代工企业，也表达了赴大陆投资0.18微米技术晶圆代工厂的愿望。伴随着台半导体技术限制的开禁，大陆晶圆代工市场版图将重新洗牌。

　　0.18微米技术“解禁”

　　台湾“经济部陆委会”日前对放宽8英寸晶圆制程技术赴大陆投资之事向台湾半导体代工业者做出了说明。

　　根据记者获得的《放宽8英寸晶圆制程技术赴大陆投资政策相关说明》，“陆委会”认为放宽8英寸晶圆制程技术赴大陆投资既与国际规范同步，又符合台湾半导体产业发展。

　　《说明》称，2002年，台湾“行政院”决定开放8英寸晶圆赴大陆投资政策，是参考了《瓦森纳协议》以及美国限制0.25微米以上制程技术的科技管制规范。2004年12月《瓦森纳协议》做出了修正，将半导体制程设备管制由0.35微米放宽至0.18微米，美国政府也已修改其出口管制清单——0.18微米以上制程不再受管制，台湾有必要放宽现行0.25微米限制，保持与国际规范同步。

　　更重要的考虑是基于对台湾半导体产业发展。《说明》进一步解释，目前，台湾半导产业水平已大幅提升：拥有10座12英寸晶圆代工厂，占全球四分之一；制程技术则普遍进入90纳米和65纳米世代，与0.25微米有四个世代之隔，因此，开放0.18微米以上制程，对台湾半导体业影响“微乎其微”。

　　与此同时，大陆已普遍使用0.18微米至0.13微米技术制程，并已进入90纳米时代。由于大陆芯片设计企业超过半数已经运用0.18微米到0.13微米技术进行数码产品设计，台“政府”限制在大陆投资厂商仅能运用0.25微米制程技术，已经明显影响台湾晶圆厂在大陆市场的竞争力。

　　《说明》还指出，2005年大陆半导体市场产值超过350亿美元，是全球成长最快的市场。

　　由于大陆晶圆代工业者已经普遍采用0.18微米技术，因此原先的“技术限制”不仅不能对大陆本地代工业者获取技术形成障碍，反而压缩了台湾厂商的发展空间，使得厂商赴大陆投资的目标难以达成。

　　台积电首批获准

　　据悉，为配合全球产业布局，台积电2005年1月便向台当局申请在大陆投资0.18微米制程技术，并为此做出大量工作。

　　在此期间，台积电位于大陆的竞争对手获得了充分的技术追赶时间。以大陆最大晶圆代工厂中芯国际为例，过去两年间，该公司的生产工艺已从0.25微米迅速提升至0.13微米，采用更为先进的90纳米工艺生产的芯片产品也已于2006年第三季度开始量产。中芯国际三季度财报显示，在逻辑产品方面，中芯国际采用0.25微米技术制程生产的产品比重仅为17.2%，采用0.18微米制程及以下技术的产品比重超过80%。

　　与之相比，目前台积电在上海松江仅拥有一个8英寸晶圆生产厂，采用较为低端的0.25微米制程技术。

　　业内人士认为，尽管这是一份迟到的“礼物”，但对台积电仍然意义重大：获准投资大陆将有助于提升台积电大陆市场份额，同时给竞争对手中芯国际的运营带来压力。

　　对于禁令取消后是否会增加在大陆的投资，台积电新闻发言人表示目前正在积极规划，还没有成型的方案。台积电之前从台湾“政府”获得的3.71亿美元投资配额已经用完，如需向大陆追加投资，需要向当局递交新的申请。

　　分析人士认为，台积电设于上海松江的工厂将会启用0.18微米工艺。今年上半年台积电已将其台湾Fab7的部分8英寸产能向松江工厂转移，后者现在可月产3万块晶圆。届时，台积电位于松江工厂的产能将得到大幅提升。

　　此外，投资大陆8寸晶圆制程技术政策的放宽，很可能引发台芯片业的新一轮投资大陆浪潮。“相信力晶、茂德都会跟进，在大陆上0.18微米技术。”SEMI中国区市场分析主管倪兆明说。

　　此外，倪兆明认为，台湾芯片代工龙头企业的全面西进，必将全面带动上游材料工业的跟进。目前，芯片代工所需的设备和材料90%来自海外。

　　在带动国内芯片产业规模的同时，业内人士也认为，台企的加入，将打破国内芯片代工业竞争格局。目前，我国大陆共有47条芯片生产线，其中12英寸2条，8英寸10条，6英寸12条，5英寸9条，4英寸14条。台企8英寸线的大规模西进，将加剧目前较为成熟的6英寸和8英寸代工市场竞争。