科技时代新浪首页 > 科技时代 > 业界 > 正文

成本降低50% 韩国60纳米DRAM内存明年将量产


http://www.sina.com.cn 2006年12月19日 09:21 eNet硅谷动力

  【eNet硅谷动力消息】12月19日消息,据国外媒体报道,韩国Hynix公司近日发布了基于60纳米工艺制造的高容量内存模块和系列产品,即1GB DDR2 DRAM芯片。新内存适用于高密度DRAM组件和诸如显卡和手机DRAM芯片这类高性能产品。韩国芯片制造商称,公司将在明年上半年进行新内存的商业化生产。

  这种1GB和2GB高性能内存的运行速度是800MHz,并已经英特尔公司校验。Hynix公司强调,随着60纳米级工艺的改进,与第一代80纳米技术相比,1GB DRAM内存的制造成本有望降低50%。

  Hynix公司说,这种1GB尺寸的封装结果可使公司制造降低成本的4GB或更高容量内存。因为较小的封装尺寸可制造出平面双排内存,不再需要在某些模块中堆积组件,从而降低了内存生产的整体成本。

  作者:老沈

爱问(iAsk.com)



论坛】【收藏此页】【 】【多种方式看新闻】【下载点点通】【打印】【关闭




科技时代意见反馈留言板 电话:010-82628888-5595   欢迎批评指正

新浪简介 | About Sina | 广告服务 | 联系我们 | 招聘信息 | 网站律师 | SINA English | 会员注册 | 产品答疑

Copyright © 1996 - 2006 SINA Inc. All Rights Reserved

新浪公司 版权所有