IBM等三公司开发相变储存 将取代硬盘、闪存

　　【eNet硅谷动力消息】以IBM为首的研发团队开发出一种名为“相变储存”的新技术，未来的闪存芯片和硬盘将面临这一新的储存芯片技术的挑战。

　　当地时间本周一，三公司宣布了它们这一技术的最新研究成果。它们表示，与目前的闪存相比，这一技术能够在ipod和数码相机上更好的储存歌曲、图片和其他数据。未来可能将取代硬盘。

　　它们利用新开发的技术研究构建了一个储存芯片的原型，采用一半的能量在储存单元上写入数据时它的运行速度比现有的闪存芯片快500倍。这一装置的电路尺寸非常小，测量的外围尺寸仅3纳米 X 20纳米。与闪存不同的是，这种相变储存芯片的目标是到2015年将采用更先进的制造技术。

　　三公司表示，新开发的名为锗合金的材料构建了储存芯片原型，它们的新材料已经申请了技术专利。除了IBM外，还包括奇梦达公司（Qimonda），它是英飞凌最近分折出来的内存公司，和中国台湾的旺宏国际电子公司（Macronix International）。

　　本周晚些时候美国电气及电子工程师学会（IEEE）在旧金山举行的2006国际电子装置会议上将对它们提出的计划进行讨论。尽管终端用户在发现这一材料进入产品前需要耐心等待，但业界预期这将是

　　未来数年内将这一技术转化为市场产品需要充分进行开发。然而，相变储存芯片的前途预期将非常光明，它是一款非失易性芯片，即使切断电能供应，它仍然可以保存数据。尽管闪存也是非失易性芯片，但相变储存芯片比闪存耗电更少，有更好的经济效益。

　　由于工程师设计的相变芯片的电路尺寸更小，未来闪存芯片将面临挑战。较大尺寸的电路泄露了更多的能量 ，在关掉电源后最终将损失它们储存数据的能力。在闪存行业开始采用这一新技术前， 这一大约为45纳米的限制尺寸仍然需要使用数年时间。

　　与目前的储存芯片相比，相变储存芯片的尺寸可以缩小到22纳米或更低，同时比闪存芯片有更长的耐久力，储存单元在重写100000万次之后才失去使用价值。

　　尽管前景光明，但这一技术仍然面临几个障碍——新的芯片设计必须相对容易制造，必须有足够的成本效益才能够吸引芯片制造商。

　　作者：安迪