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伦敦消息，非易失内存技术方面的专家——赛凡半导体和中国的半导体工厂——中芯国际达成合作意向，他们要合作生产容量达到8Gb的数据闪存，产品预期将在2008年上市。新的产品是基于赛凡半导体的每储存单元四位（4-bit-per-cell）的Quad NROM技术，再结合中芯国际的先进生产技术进行生产。
这两个公司目前已经在低密度的闪存方面展开合作了。中芯国际最近发布了他的第一
款2Gb的NAND闪存的工程样品，这款工程样品是基于赛凡半导体的每储存单元两位（2-bit-per-cell）的NROM技术设计的。他们预期，这款产品将在今年年底就能实现大批量的生产。
赛凡半导体方面表示，他们的Quad NROM每储存单元四位技术代表了目前非易失存储器（NVM）技术上的突破，他们将内存储存单元的存储能力增加了一倍，提供了一个更为简单的架构，从而使产品生产的步骤减少，降低了生产成本。赛凡半导体方面还补充说，在当前的市场中，中芯国际生产线上生产的8Gb的数据闪存，足以显示Quad NROM技术在生产过程中具有的明显优势，这种优势表现在低成本上。
赛凡半导体授权了一批企业使用他们的非易失内存的新技术。这批企业包括Qimonda AG、旺宏电子、NEC、索尼、飞索半导体和Tower Semiconductor。
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