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三星仍稳居NAND闪存市场老大 东芝紧追不舍


http://www.sina.com.cn 2006年11月16日 09:58 太平洋电脑网

  据市场调查公司iSuppli数据显示,全球NAND闪存市场第三季度收入略高于预期,但由于市场上MP3的销售状况不尽人意,因此iSuppli预测第四季度NAND闪存的收入将低于预期增长。

  与iSuppli九月份预测的30亿美金收入非常接近,NAND闪存第三季度的实际销售量达到31亿美金。与第二季度27亿美金的销售量相比,增长了11.8%。iSuppli还表示,与公司之
前发布的预测值一致,第三季度兆比特级NAND闪存的价格下降了22%,而出货量上升了44%。

  iSuppli公司内存芯片和存储系统主任兼首席分析师Nam Hyung Kim表示“iSuppli近期将调整对第四季度NAND闪存的预测值。之前公司曾预测第四季度NAND闪存产品将出现21%的增幅,但由于MP3播放器(多用NAND闪存作为存储媒质)销量低于预期,因此导致NAND闪存增幅减少。”

  在NAND闪存厂商中,以市场排名第二的东芝公司获得收入增长26.2%的佳绩最受人瞩目。东芝NAND闪存产品由第二季度的6.73亿美金销量上升到第三季度8.49亿美金,全球市场的份额也由第二季度24.6%上升到第三季度的27.8%。

  而市场排名第一的三星公司NAND闪存业务第三季度收入仅增长了4.3%,市场表现的不佳也缩小了与东芝的差距。东芝的市场份额由第二季度与三星相差21.6个百分比追近到第三季度仅相差15.3个百分比。同时,东芝第三季度优异的市场表现更拉大了其与第三名韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)之间的差距。

  而来自美国的后起之秀Intel和麦凯龙(Micron)第三季度的表现也十分抢眼,分别获得了127.8%和35.3%的增幅。虽然现在这两间公司市场占有率都很低,但两间公司都对此领域投入重兵。

  韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)公司第三季度获得11.9%的增幅,在iSuppli公司给出的市场排名中,仍稳居NAND闪存市场第三位。

  在第三季度另一个好消息就是多层单元(Multi-Level Cell,MLC)NAND闪存的销量获得了迅猛增长。多层单元(Multi-Level Cell,MLC)闪存可以在一个内存单元内存储更多的信息,以此增加闪存容量。

  三星和海力士使用MLC技术的NAND闪存第三季度销量分别获得了40%和50%的增长。iSuppli预测,到2007年第一季度,所有兆比特级的NAND闪存中有80%将使用MLC技术。

  另外,iSuppli预测,虽然采用MLC技术的NAND闪存获得快速增长,但由于受其它因素影响,NAND闪存今年第四季度和明年第一季度的增幅不容乐观。同时,iSuppli表示,由于DRAM内存的利润有所提高,因此内存厂商将生产更多的DRAM内存而缩小NAND闪存的产量,而DRAM内存厂商生产的NAND闪存占到了市场上闪存产量的75%。因此2007年NAND闪存的供给与价格将趋于良性发展。

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