在力晶半导体公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC) 近日发行1.68亿美元的全球存托凭证(Global Depositary Receipt; GDR)后,日商尔必达内存 (Elpida Memory)拟在中国建立新的DRAM工厂事件吸引了各方注意。
尔必达(Elpida)首席执行官Yukio Sakamoto近日接受媒体采访时表示，由于中国方面提供了税收优惠和奖励措施，因此中国已经成为尔必达拟新建的DRAM工厂的合适地点。尔必达为建立此厂将投资85亿美金，新厂将于2009年开始量产。Sakamoto表示，通过在中国设厂，能够将成本降低30％－50％。
尔必达的
长期合作伙伴，力晶公司主席Frank Huang表示，公司并没有收到任何关于尔必达拟在中国大陆建设新的DRAM工厂的消息。Huang表示，由于中国政府现正实施宏观调控来防止经济过热，并且通过对华虹NEC公司(Hua Hong NEC)拟建立12英寸晶元厂的申请被驳回可以看出，对于海外公司在中国建立晶元厂还存在诸多限制。他同时表示，中国政府能提供的补贴只是杯水车薪，根本不能解决什么问题。另外，由于建设晶元厂需要巨大的投资，并需要的像无尘室等要求非常高，因此不论在何地建厂，其建设费用基本不变。
尔必达在接受媒体采访时表示下一个DRAM工厂将在中国大陆，台湾地区和新加坡之间选择。同时，公司表示税收政策和补贴金政策将是公司重点考虑的两项因素。至于最终的选址结果，将于2006年底前确定。
2006财政年度第二季度尔必达的DRAM内存外购率已经达到34％，公司计划在第四财政年度将其升至35％－40％。公司计划今年内存的业务增长将达到135％，比去年的增长率高出5％。
尔必达还计划将日本的12英寸晶元厂E300的产量由9月份的62000块在2006年12月升至70000块。同时，12月份将开始使用70nm技术。现在，尔必达12英寸晶元的月产量约为60000块。
力晶公司也正在积极提高DRAM的产量。公司计划在2006年第4季度的晶元产量达到100000块。2006年DRAM内存的增长率预测达到82％。在扩大产能的同时，力晶还不断引入最新技术。公司计划在2007年第二季度后全部使用70nm的DRAM。
截至第三季度，力晶公司Fab 12A和12B晶元厂12英寸晶元月均产量达到85000块，Fab 12M的月均产量达到5000块。Fab 12C和Fab 12D两个厂第四季度将开始安装无尘室设备。
2006年第一季度，尔必达在全球DRAM内存市场的占有率达到9.7％，立晶公司达到5.2％。而市场排名第一的三星电子，则占据了26.6％的市场份额。
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