美Spansion制造全球第一片每单元4位闪存芯片 | |
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http://www.sina.com.cn 2006年09月26日 10:03 eNet硅谷动力 | |
【eNet硅谷动力消息】据国外媒体报道,美国加州的闪存制造商Spansion公司9月25日宣布,已经生产出了全世界第一片每单元存储四位的闪存芯片。 Spansion公司表示,他们将采用这个技术在年底之前用90纳米工艺制造512M、1G、2G的闪存芯片,明年将采用65纳米的工艺生产1G、2G、4G、8G和16G芯片。 事实上,Spansion公司的这一制造技术来自以色列的Saifun公司。去年年底,Saifun公司正式向外界宣布已经成功研发出了每单位存储四位的闪存芯片,并将这一技术授权给了美国的Spansion公司和德国的英飞凌公司。 据Spansion公司和Saifun公司表示,通过每单位存储四位的技术,闪存的容量可以在同一尺寸的芯片上提高一倍,而且架构也比较简单,可以减少制造环节,从而降低成本。另外,通过软件纠错技术,可以最大限度地避免存储过程中的位错现象。 作者:令狐达 |