比普通闪存快30倍 三星发布新型闪存芯片PRAM

　　【eNet硅谷动力消息】据外电报道，三星电子公司周一发布了一种新型闪存芯片，据称这种新内存可更快储存新数据，从而可使数码设备工作更快。

　　新产品属于阶段变化随机读取内存（PRAM)，芯片是非易失性的，这意味着这种内存即便在电子设备关闭时仍能保存数据。三星公司称，新产品比现行普通闪存快30倍以上。

　　三星说，新内存有望在2008年上市。本周一在首尔召开的新闻发布会上，三星公司展示了512MB容量的原型PRAM芯片。

　　当前电子设备广泛使用的非易失性闪存有两种—NOR和NAND。

　　NOR闪存适合直接运行软件，但是它速度较慢，而且制造价格昂贵。NAND闪存容易大规模制造，更适合大容量文件储存，比如MP3音乐文件。

　　三星公司说，PRAM闪存芯片采用垂直二极管和三维晶体管结构，以便使体积更小。三星称，与NOR和NAND芯片不同的是，PRAM闪存不需要在储存新数据前擦除旧数据。

　　三星在周一还展示了用较精细40纳米级工艺制造的32GB容量的NAND闪存芯片。

　　作者：老沈