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台湾内存制造商纷纷进入NAND型闪存市场


http://www.sina.com.cn 2006年08月25日 09:43 太平洋电脑网

  面对蒸蒸日上的NAND型闪存市场,台湾内存制造商有些坐不住了,纷纷宣布要进入该市场。台湾DRAM制造商南亚(Nanya)、力晶科技(Powerchip)和茂德科技(ProMos)在过去已经宣称要进入NAND型闪存市场,不过没有见到什么实质行动。因为台湾本土厂商缺少NAND型闪存专利和技术,他们注定是该市场的后来者。

  因而台湾厂商会使用更安全的闪存代工策略。尽管没有太多事前的声张,不过目前至少有两个台湾厂家想通过这个途径进入市场。

  今年早些时候,力晶科技获得瑞萨科技的授权,销售后者的NAND型闪存。瑞萨早就表示,这会为NAND型闪存市场带来变数。不过更大的进展来自内存制造专家茂德科技,该公司宣称已经进入“试产”阶段,很可能是台湾首款拥有自主知识产权的NAND型闪存产品。

  茂德科技的1GB闪存使用自己的设计,基于130纳米工艺。根据Gartner Inc.的报道,该产品将在该公司位于新竹的8英寸芯片厂制造。当然,技术远远落后当前的竞争对手,不过茂德科技已经计划加快其研发步伐以便早日赶上对手。

  Gartner的分析师Ben Lee在一份报告中写到:“茂德并没有计划在2007年上半年之前量产130纳米NAND型闪存芯片。根据市场需要,茂德会发布在其12英寸晶圆厂用亚60纳米工艺生产的容量超过16GB的芯片。”

  茂德科技的第二间12英寸晶圆厂去年正式投入生产。该公司表示第三间12英寸工厂已经提上议事日程,Lee认为极可能是作生产NAND型闪存之用。不过这间工厂最有可能是拿来生产DRAM。Lee表示,该公司计划在2008年在该厂使用60纳米技术生产基于其合作伙伴海力士半导体的DRAM产品。

  另外一家DRAM制造商力晶最近宣布,它获得瑞萨的授权协议。协议包括瑞萨的AD-AND型闪存的技术和销售权。该协议同时授权力晶可以使用自用品牌出售AG-AND型闪存。

  力晶也已经在代工方面展开了行动。今年1月份,该公司表示将会购买旺宏电子的一间12英寸晶圆厂,以便缓解高密度数据闪存不断增长的需求。旺宏电子的该工厂没有设备,不过是按月产3.5万片晶圆设计的,售价为1.66亿美元。作为协议的一部分,旺宏电子和力晶将会在将来的闪存开发上组成伙伴关系,包括那些在力晶用90纳米技术代工的闪存。

  DRAM制造商南亚在过去几个月一直表示要进入NAND型闪存市场。不过目前为止,该公司还没有透露过它的计划。

  不过无论如何,台湾制造商能否面对海力士、IM Flash、三星、东芝和其他NAND型生产厂家的竞争仍是未知之数。不过,如果像DRAM一样,台湾厂家应该可以争得一席之地。或者,考虑到目前NAND型闪存市场糟糕的价格趋势,台湾投机主义者们或者可以考虑适当推迟进入市场的日期。

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