Freescale（菲思卡尔）公司上周正式宣布发售一种磁阻随机存储芯片（MRAM）（详见“存储技术革命性突破 万能存储芯片MRAM问世”）。对此，市场分析公司iSupply公司相信，虽然MRAM的全面普及还存在一定障碍，但它将大大推动这种技术的发展。
Freescale表示，这种新的MRAM存储设备集合了当今各种内存技术的优点于一身。和以往芯片使用电荷存储信息不同，MRAM使用磁极性存储信息。Freescale还称这种新型设备让读写速度平衡在35纳秒，这点和一般的DRAM（动态随机存储器）或者闪存相同。另外，它的单元密度和DRAM或者闪存也很相近，但却不存在DRAM中常见的漏电流问题。更重要的是它拥有类似DRAM或者SRAM（静态随机存储器）的近乎无限次使用寿命，同时还具有闪存的关键特性——掉电后不会丢失数据。
MRAM技术已经存在多年，但一直未能取得商业成功。关于这一点，原因有很多，但其中的两个主要原因是MRAM的单位成本高昂以及该技术集成到标准的CMOS生产工艺中的难度很大。
iSuppli认为Freescale将MRAM实现商品化之举是一个重大的成就，代表着该技术已取得了很大进展。不过，这并不足以确立MRAM作为主流技术的地位。Freescale已经克服了部分过去困扰其他竞争对手的技术难题，但是，这离MRAM成为主流内存技术还有很长的一段路要走。
iSupply相信Freesale的技术的真正短期价值并不在于抢得多少市场份额，因为目前的单位比特成本(cost per bit)竞争已经到了极端残酷的地步。相反，这种产品的机会在于作为即将登场的单芯片系统（System-on-Chip SOC)设计中的关键组成元素。
作为单芯片系统的其中一部分，Freescale的技术能用于集成足够的高密度内存于高度集成的处理单元中，能用于Freesale提供的各种解决方案之中，还能授权给其他厂商使用。
根据国际半导体技术发展路线图（The International Technology Roadmap for Semiconductors，简称ITRS）显示，今天的单芯片系统核心区域中，超过50%是用于嵌入式内存，通常是SRAM。在不久的将来，这个数字预计将超过70%。在目前来说，Freescale使用180纳米技术的MRAM读写速度是35纳秒，这对用于L1缓存来说太慢了，但对部分微处理器的低级缓存来说可能已经足够。不过随着技术的进步，其性能应该能升级到能满足L1需求的水平。
iSuppli当然没有忽视Freescale的MRAM作为单独存储设备的潜力。不过，它目前的价格结构和相对低的容量可能限制了其用途只能用于像需要电池支持的SRAM以及一些重要的备份系统等。在这些场合，它的高性能、耐用性和数据非散失性相对于今天的高价解决方案具有很大优势。
在目前众多正开发的技术中，MRAM是唯一显示出具有成为未来内存技术主流的潜力的一种。要成为主流技术，它必须能提供高容量、高性能、耐用性、数据非散失性和超低成本。
Freescale的这项成就让MRAM技术走出了“具有极大潜力”的困局，把它放在冲击主流内存技术的前沿。随着对MRAM开发的不断深入，无论是关注Freescale所取得的进展，还是留意那些长久以来一直在进行同类通用内存技术研究的众多竞争对手对这种产品的反应以及回应都将是一件非常有趣的事。
