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传东芝与SanDisk斥资52亿美元建NAND闪存厂


http://www.sina.com.cn 2006年07月07日 12:01 eNet硅谷动力

  【eNet硅谷动力消息】日本报纸周五报道说,东芝与SanDisk计划共同斥资约6000亿日元(约合52亿美元),在日本建造一座新的闪存厂,以便更好地与竞争对手三星电子展开竞争。日本报纸称,这两家公司将在日本北部的岩手县建造一座NAND闪存厂,该厂将于2008/09年投产运营。

  东芝是继三星之后,全球第二大NAND闪存制造商,公司曾于5月份表示,计划建造其
第五座闪存厂,以满足市场快速增长的需求。公司发言人周五表示,有关第五座工厂建设的细节问题目前还没有最终确定下来。

  东芝5月份制定计划,要在今后三年内增加80%的资本支出,至180亿美元,其中有一半的资金将用于其闪存业务。公司还计划到2008/09年扩大其NAND闪存芯片产能,进一步加强该业务。市场研究公司iSuppli预计,到2009年全球NAND闪存芯片市场的规模将扩大140%,达261亿美元。

  NAND闪存芯片可以在断电的情况下保存数据,目前已被广泛应用于数码照相机、手机以及苹果iPod nano等便携式音乐播放器中。

  SanDisk位于加利福尼亚州桑尼维尔,是东芝在NAND闪存生产领域的合作伙伴。双方继2月份宣布提升其现有NAND芯片厂产能后,4月份又表示将在日本西部的四日市建造一个新的300毫米晶片加工厂。

  日本《朝日新闻》说,东芝将负责这座位于岩手县第五座闪存厂的工程建设,至于购买生产设备所需费用将由双方共同承担。

  作者:阿勇

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