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IBM硅锗芯片运行速度达到500GHz


http://www.sina.com.cn 2006年06月23日 09:29 新华网

  新华网北京6月22日专电 IBM公司与美国佐治亚理工学院在近乎绝对零度的环境下成功将一颗硅锗芯片运行到500GHz,即每秒运算5000亿次,从而刷新了硅锗芯片的运行速度纪录。

  两家机构的研究人员把这种硅锗芯片冷却至零下268摄氏度,接近绝对零度,时芯片运作速度达到500GHz,而在室温下,该芯片速度也能稳定运行在350GHz。

  据美联社报道,这种芯片类似于标准的硅基芯片,加入的锗元素使得芯片的功耗更低,性能更佳,而超低温环境使得芯片内部电阻降低,从而极大提升了硅晶体管的运行速度。

  IBM首席技术官贝尔尼·迈耶森介绍说,这种硅锗芯片的运算速度是个人电脑的100倍,比手机芯片快250倍。由于硅基芯片在低温下可以获得更好的性能,研究人员预言,这种芯片最终能达到1THz的运行频率。

  作为世界上第一个生产硅锗芯片的厂商,IBM自1998年已经销售了上亿个普通硅锗芯片。目前高性能的硅锗芯片只应用于导弹防御系统、宇宙飞行器以及遥感测量等特殊领域。该公司希望此项技术能够在数年内被用于个人超级电脑和高速无线网络的开发。

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