IBM利用硅锗合成技术使芯片速度创下新记录

　　【赛迪网讯】6月21日消息 全球最大的电脑服务公司IBM周一宣布，新制造的一块芯片运行速度可以达到普通手机芯片的250倍。

　　据彭博社网站报道，IBM的研究人员和佐治亚理工学院的研究人员一起，通过将这种芯片的温度冷却到零下451华氏度，使其时钟频率达到了50万兆赫。这样的低温在自然条件下只在外层空间可以出现。

　　这种芯片将来有可能被应用于商业或国防领域。在室温条件下，该芯片运行速度为35万兆赫。电脑模拟显示，这种利用硅锗合成技术制造的芯片潜在的运行速度在室温条件下可以超过50万兆赫。

　　作者：云雀