硅锗芯片终极速度有望达1THz，为个人超级电脑和高速无线网络铺平道路(新浪科技配图)
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新浪科技讯 6月20日消息，据国外媒体报道，IBM与佐治亚理工学院(Georgia Tech)成功使一颗芯片运行在500GHz，其时温度为-268℃，这也刷新了硅锗芯片的速度记录。此项实验是探索硅锗(SiGe)芯片速度极限计划的一部分，这种芯片类似于标准的硅基芯片，但是它含有锗元素使得芯片的功耗更低，性能更佳。
在室温下，IBM和佐治亚理工学院的芯片已经可以稳定运行在350GHz，即每秒时钟周期
运算3,500亿次。相形之下，目前个人电脑处理器的速度为1.8GHz至3.8GHz。
IBM首席技术官Bernie Meyerson形象比喻：“这个晶体管运算速度百倍于个人电脑，比手机芯片则快250倍。”
两家机构的研究人员使芯片温度达到了-268℃，这样的低温在自然界只存在于外太空，已接近绝对零度。硅锗芯片在低温下可以获得更好的性能，研究人员预言最终芯片的频率可达1THz。
加入锗元素可有效提高芯片性能并降低功耗，同时也会增加晶圆和芯片的生产成本。IBM自1998年已经销售了上亿个硅锗芯片，但是移动通信领域每年要用掉数十亿个普通硅基芯片。目前高性能的硅锗芯片只应用导弹防御系统、宇宙飞行器以及遥感测量等特殊领域。该公司希望此项技术能够在数年内投入实际应用，这将为实现个人超级电脑和高速无线网络铺平道路。
IBM是世界上第一个生产硅锗芯片的厂商。摩托罗拉、Airgo Networks和Tektronix等公司已在其产品中使用这项技术。(长乐未央)
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