英特尔研发出最新的三门技术 将减少能量流失

　　作者：焦琳

　　根6月13日消息 英特尔公司目前已经研发出了最新的"三门"芯片技术，将把芯片的能量流失减少到50%以上。目前该项技术已经成功的通过了多次试验。

　　英特尔计划将这项最新的技术与Strained Silicon以及K门技术想结合，因此门电路

将把芯片上的电子进行有效的管理，从而将达到减少能量流失的目的。同时，此项技术还将把晶体管的速度提高一半左右。但由于“三门”技术的研发成功将解决目前业界的诸多问题，意义重大，因此英特尔方面对此将不会批露更多的细节。

　　但对于用户来说，要体验该项技术只要还需等待3-5年的时间，因为英特尔方面表示，要到2009年以后才将该技术用于芯片上。