三星闪存悄然进步 研发64G容量吸纳东芝技术

　　【eNet硅谷动力消息】据国外媒体5月11日报道，本周宣布将在"弱项"系统芯片领域投入3亿美元的韩国三星电子并没有在自己的"老本行"上有任何松懈。据公司高层透露，三星电子正在悄然研发32G和64G容量的NAND闪存产品，并采用对手东芝公司的多层单元技术。

　　在日前举行的一次会议上，三星半导体公司负责技术市场推广的高级副总裁Jon Kang透露："我们已经设置了（研发）32G和64G闪存产品的团队。"

　　三星电子目前容量最高的NAND闪存产品是16G的，基于单层单元技术（Single Level Cell），使用55纳米工艺生产。

　　除了容量之外，在闪存技术上，三星电子也开始采用竞争对手日本东芝公司所使用的多层单元技术（Multi level Cell）。这种技术生产的闪存产品要比单层单元技术的便宜三成左右。据美国媒体报道，三星电子已经拥有一条多层单元生产线，可以生产容量8G的闪存产品，制造工艺为60纳米。

　　Jon Kang表示，三星电子估计今年全球NAND闪存市场将以20％到30％的速度增长，他甚至矢言："闪存现在是三星的技术驱动力。"

　　除了NAND闪存"原料"生产之外，三星电子也在积极探求下游产品的研发。今年3月份，三星电子发布了一款容量为32G的固态硬盘，完全使用其NAND闪存。这种存储设备比传统硬盘具有更小的体积和更快的存取速度，业界普遍认为未来固态硬盘将取代现有的磁盘。

　　另据韩国媒体本周报道，三星电子将在本月底召开的微软硬件工程师2006大会上，展示一款成熟的混合硬盘。混合硬盘结合了闪存和磁盘，可以加快数据存取和系统启动时间。明年上市的Windows

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　　作者：令狐达