【eNet硅谷动力消息】ARM与台积电日前签署一项最新协议，将双方的长期合作关系扩充至开发一套全新的ARM Advantage产品。该产品作为Artisan实体IP系列产品的一部份，用来支持TSMC的65纳米和45纳米制程。通过该协议，用户可以从ARM Access Library Program获得针对TSMC先进技术的ARM Advantage产品。
ARM Advantage IP提供高速、低功耗的性能表现，满足消费电子、通讯和网络市场众多应用的需求。Advantage标准单元包括功耗管理工具套件，实现动态和漏泄功耗节省技术，例如时脉闸控、多电压分离和电能闸控等。它还提供五个Advantage储存编译器，提供相似的先进功耗节省特色。该产品套件在扩充了的电压范围内对时脉和功耗作了特殊设置，使得设计师可以完成多电压设计精确仿真。
此外，ARM还将发布TSMC Nexsys I/O产品，因而提供完整的实体IP。Advantage IP包含了ARM广泛的views和模型集，提供了与众多业界领先的EDA工具的整合。这些views在广泛的执行条件下可以为Advantage产品提供功能、时脉和功耗资讯，使得设计师可以在SoC中实现能够积极控制动态和漏泄功耗的复杂功耗管理系统。
据称台积电认为，2006年65纳米产品将会有一个爆发式的成长。该公司每两个月会激活65纳米的原型验证试验线，帮助客户和EDA、IP和库供货商就他们的尖端设计进行原型试验和验证。台积电65纳米NexsysSM技术是其同时采用了铜互连和low-k绝缘技术的第三代半导体制程。它是一个9层金属制程，核电压1.0或1.2V，I/O电压1.8，2.5或3.3V。
与台积电现有的90nm Nexsys制程相较，这项新制程技术可以将使标准单元闸的密度倍增。它同时还有很具竞争力的六晶体SRAM和单晶体嵌入式DRAM这两种储存单元尺寸。此外，该技术还包括支持模拟和无线设计混合讯号和无线电频率功能，支持逻辑和储存整合的嵌入式高密度储存，以及支持客户加密需求的电子保险丝选项功能。
作者：陆扬
