三星电子的半导体事业务高级副总裁II Ung Kim在4月14日的一个电话会议上表示，公司对基于多级单元（Multi-Level Cell，MLC）工艺的NAND型闪存芯片的产能比例将从今年第一季度的25％提高到今年年底的超过50％。
Kim表示今年第一季度公司生产的NAND型闪存芯片中有26％是基于MLC工艺的，而这一比例将在第二季度稳步上升为30％。公司计划在2006年年底时，能将基于MLC工艺的NAND型闪存芯片在全部NAND型闪存芯片中的产能比例增加到超过50％，而全年的MLC工艺的NAND型闪存芯片的出货量比例将占35％到40％。
同时三星将会逐渐生产更高容量的NAND型闪存芯片，同时也会采用更多先进的技术进行生产。Kim指出，公司将开始采用60纳米的工艺批量生产8G容量的NAND型闪存芯片，而几百万件采用多级单元工艺的8G容量的NAND型闪存芯片的部件将在今年的第二季度末完成生产。
Kim补充，除此以外在第二季度三星将继续提高采用70纳米工艺生产的NAND型闪存芯片的产量。
由于MLC工艺比SLC工艺在成本上更具竞争力，因此业界逐渐转向使用MLC是大势所趋的。今年年初，美国花旗集团评估得出，MLC工艺的NAND型闪存芯片比SLC的产品节省大概30％的成本。
虽然三星一直占据着NAND型闪存市场的统治地位，但东芝公司却在MLC产品市场中获得领先。花旗集团指出，在2006年第二季度东芝公司将采用70纳米的工艺生产超过50％的NAND型闪存芯片，采用50纳米的工艺生产大概10％的NAND型闪存芯片。而到第四季度时，东芝的8英寸晶圆中将会有一半是采用50纳米工艺生产的，而12英寸的晶圆将有超过一半是采用70纳米工艺生产的。
而在MCL产品的容量上，东芝公司同样一直领先。在2006年1月公司宣布以70纳米多级单元工艺生产出具有16G容量的NAND型闪存芯片。
这一16G容量的NAND型闪存芯片内置两片采用70纳米工艺的MLC 8G容量的闪存芯片。这一8G容量的闪存芯片是东芝和SanDisk公司合作的成果，已经开始批量生产了。
在2005年8月东芝首次宣布成功开发出多级单元工艺的NAND型闪存芯片，随后在9月竞争对手三星也宣布开发成功相同的产品。
