我台湾NAND Flash产业有望抢占先机

　　【赛迪网讯】今年瑞萨已明确全面退出NAND型Flash市场，将转由我国台湾厂商力晶承接，台湾厂商最大的优势在于成本压缩和生产量的扩张，台厂商能否借成本和产能优势，抢占NAND Flash产业先机，值得期待。

　　瑞萨退出 力晶承接

　　从生产线密度来看，12英寸厂密度最高的是我国台湾地区，已经有成为全球存储芯片生产基地的趋势，甚至有希望超过韩国。而这种情况不仅发生在DRAM市场，NAND型Flash市场目前也有这种迹象出现。瑞萨宣布退出NAND Flash市场将生产转交力晶一事，预示着NAND Flash产业已提前进入洗牌阶段。厂商遭到淘汰出局，主要是制造成本无法与对手相比，虽说多数DRAM厂退出时，所具有的生产技术和核心IP依然领先，但由于市场占有率不断萎缩，导致研发成本无法摊平，最后只好黯然退出。如过去日本DRAM大厂高达4家～5家，但由于高制造成本及低市占率，让东芝、NEC及日立等被迫退出DRAM产业。

　　NAND Flash市场竞争与DRAM价格战类似，甚至更有过之，原因在于NAND型Flash芯片组所制造出的产品多应用于消费类电子产品，更贴近消费终端，对于价格特别敏感，价格完全决定消费者是否有意愿购买。

　　创见董事长束崇万表示，NAND型Flash市场的跌价情况将会比标准型DRAM更为惨烈，主要是因为标准型DRAM大都搭售PC出货，处于合约市场的PC OEM厂商吸收了近80%的标准型DRAM货源，但NAND型Flash产品不一样，NAND型Flash产品是消费性电子产品，没有PC的固定搭售，市场供需可能在一瞬间出现大反转。

　　在三星电子、东芝、美光、海力士等未大量将产能转进NAND型Flash前，瑞萨于全球NAND型Flash市场占有率尚有12%左右，但由于竞争对手不断扩充产能，导致其市占率逐步下滑，虽然瑞萨在NAND型Flash营收仍继续增加，但市占率却已滑落至4%～5%，甚至更低。目前瑞萨内部已确定全面退出NAND型Flash市场，其所拥有的制造IP、制程技术及客户，将陆续转由力晶承接，至于双方要采用何种模式进行转移，还有待双方高层进一步洽谈后再行决定。

　　力晶发言人谭仲民表示，到目前为止双方合作关系并没有太大变化，现阶段力晶NAND型Flash投片量已达到5000片～6000片，12A及12B均有投产，目前则是以瑞萨的1Gb产品为主，至于4Gb部分则在试产阶段，而力晶自有品牌的1Gb产品仅在样本阶段，并未正式投产，也就是说力晶大部分NAND型Flash产能均属于瑞萨。

　　产能和成本是台商两大优势

　　台湾省厂商最大的优势在于成本压缩和生产量的扩张，而之前台湾省厂商成功的经验也证明，凭借拼量、拼价才将台湾

　　高容量的NAND型Flash价格自2005年底至今，3个多月的时间里，报价几乎只剩下当初的一半，根据集邦科技(DRAMeXchange)报价，8Gb芯片报价本来还有50美元，现在几乎只剩一半，4Gb芯片则从28美元降到目前只剩下11美元，这样的下滑速度和幅度，实在让模块厂吃不消。

　　希望进入NAND Flash市场分一杯羹的厂商不仅仅是力晶一家，台湾茂德、南亚科等对这一市场同样虎视眈眈。但这一市场所面临的风险远大于DRAM市场，投入都非常谨慎。这一点模组厂商体会深刻。台湾模组厂表示，由于面对终端市场，价格波动没有保证，今年第一季度NAND Flash跌价速度惊人，模组厂商难以保证正常利润率，其效应远大于DRAM产业。(n101)

　　作者：孙文博