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英特尔美光合建NAND闪存厂 欲打破三星东芝垄断


http://www.sina.com.cn 2006年03月21日 11:11 太平洋电脑网

  作者:OZ

  据海外媒体报道,Intel公司与内存制造大厂Micron合作,计划合资建立一座名为IM Flash Technologies的新公司,生产应用于MP3播放器和数码相机的闪存。闪存与普通内存最大不同是,闪存就算断电后,仍能保存数据资料。目前市场上的闪存有2种,NAND型,NOR. NAND型。后者更适合进行大文件的存储和编写。

  Intel和Micron建立新的闪存生产企业的目的是打破由韩国三星公司和日本东芝公司在闪存市场中的垄断地位。Intel公司负责该项目发展的副主席Brian Harrison称,新企业的厂房选址还在研究中,仍未确定下来。新工厂计划生产NAND型闪存芯片,计划于2008末或2009初开始投产。

  由于现时NAND闪存芯片市场需求强盛,Intel看准这个发展机会,于上年11月份宣布与Micron合作建立合资企业。Intel占有新合资公司49%的股份,而美国最大的内存生产商Micron占51%的股份。合资公司现时正在美国建立其他三个闪存生产厂房,预计将会于今年年底至明年开始正式投入使用。

  市场分析人士认为,Intel与Micron合作不断扩大NAND闪存的生产能力,是为了与三星,日立等日韩闪存生产巨头抗衡。目前,三星和日立在NAND闪存市场上的占有率超过了75%。而韩国现代公司也在不断增强其闪存的生产能力。

  今年2月份,Intel也宣布将投资3亿美元在越南南部建立芯片组装和测试工厂,并预计于2007下半年投入运行。

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