【赛迪网讯】3月20日外电消息，英特尔一名官员日前表示，英特尔计划与美光科技共同投资新建一座闪存片生产基地，所生产的闪存片主要用于MP3等目前大受欢迎的数码电子产品。
据美联社报道，英特尔闪存集团副总裁布莱恩-哈里森表示，计划投资的闪存基地名为“IM 闪存科技”（IM Flash Technologies），两大微芯片巨头试图通过合资挑战当前全
球闪存市场的领先厂商韩国三星和日本东芝等。哈里森表示，与美光合资闪存基地的选址还没有最终确定，不排除落户亚洲的可能。哈里森日前在接受道琼斯在线电话采访时表示：“我们正在全球范围内物色合适的厂址，因此目前还不能排除任何一个地区。”
哈里森表示，新基地将主要生产NAND型闪存片，预计2008年底或2009年初量产。他还表示，2007年之前，现有三座基地的产量也将大幅增加。去年11月，英特尔与美光科技宣布组建合资公司，主要满足NAND闪存片市场的巨大的需求。在新公司中英特尔持股49%，美光持股51%。目前，双方位于美国爱达荷州西北部的合资公司已开始生产闪存片。
分析人士指出，三星与东芝目前占有全球NAND闪存市场75%的份额，英特尔与美光科技如果打算从前者手中抢夺市场份额，首先必须大幅增加产能。闪存市场全球排名第三的韩国现代半导体公司也在大力扩充产能。(c000)
作者：啸风
