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英特尔美光拟合建闪存厂 选址未排除亚洲


http://www.sina.com.cn 2006年03月20日 07:36 新浪科技

  新浪科技讯 北京时间3月20日消息,据国外媒体报道,英特尔和美光科技计划投资修建一座新工厂,主要生产用于MP3播放器和数码相机等流行数码设备的闪存芯片。

  英特尔闪存集团副总裁布莱恩-哈里森(Brian Harrison)表示,英特尔同美光成立的合资公司名为“IM闪存科技公司”,主要市场竞争对手包括三星电子和东芝。他同时称,英特尔还没有确定新工厂的选址,也没有将亚洲排除在外。他说:“我们正在全球范围内寻找最
合适的地点,目前并没有排除任何地区。”

  英特尔同美光成立的工厂将主要生产NAND闪存芯片,预计将于2008年底或2009年初投入生产。哈里森透露,在2007年之前,英特尔现有的三座闪存工厂也将提升产能。去年11月,英特尔和美光宣布成立合资公司,以更好地把握NAND闪存芯片市场需求高速增长的商机。在合资公司中,英特尔持有49%的股份,而美光则持有剩余的51%。目前,英特尔美光合资公司的NAND闪存芯片主要来自于美国爱达荷州的一座工厂。

  分析人士认为,英特尔美光合资公司需要大幅度提升NAND闪存的产量,以从三星电子和东芝手中抢占更多市场份额。到目前为止,三星电子和东芝在全球NAND闪存市场共占据了75%以上的份额。现代

半导体在NAND闪存市场排名第三,也计划大幅度提升芯片产能。

  今年2月,英特尔宣布将投资3亿美元在越南修建封装与测试工厂,预计将于2007年下半年投入使用。(马丁)

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