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英飞凌内存高层称年内要成为最优秀DRAM厂商


http://www.sina.com.cn 2006年03月14日 14:04 ChinaByte

  天极网3月14日消息(编译 戴寻严)德国芯片巨头英飞凌的内存业务高层日前在接受《EE Times》网站采访时表示,在闪存领域,英飞凌是一个跟随者,但英飞凌要在今年成为全世界最优秀的DRAM厂商。

  英飞凌内存业务副总裁勒哈德(Bernd Lienhard)对《EE Times》网站表示:“我们认为自己是DRAM领域的领导者。在NAND闪存市场,我们是跟随者,处于追赶的状态。”

  据悉,虽然NAND闪存是市场热点,但英飞凌只有一条1GBit的NAND闪存生产线,采用以色列Saifun半导体公司转让的技术。媒体分析认为,英飞凌并没有放弃闪存市场,但其焦点是在DRAM,同时为内存业务分拆作准备。

  勒哈德说:“我们的焦点是DRAM、DRAM、DRAM。今年,我们的工作中心是成为全世界最好的DRAM制造商。” 显然,勒哈德此处的“最好”并非销量最大,而是技术最先进、质量最好。

  上周,勒哈德曾对新闻界透露,英飞凌将很快采用70纳米工艺生产DDR2 SDRAM,这将是全球内存厂商中的第一家。

  内存分拆的传闻已经影响到了英飞凌的业务。2005年,英飞凌作为全球第四大内存厂商,内存销售却下降了9.1%。在闪存领域,英飞凌则从第五名落后到了第七名。 (完)

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