天极网3月14日消息(记者 顾萌)日前,日本东芝公司否认了该公司有意在第四座闪存芯片(Flash)制造厂的计划外，还将兴建第五座闪存芯片制造厂的消息。
为了曾加NAND型闪存产量，东芝计划在日本三重县四日市兴建第四座闪存芯片制造厂，该厂采用90nm制程，满负荷运作时月产能可达10万片。新工厂建设周期约为两年，预计最快将在2007年投产，投资总额约为42亿美元，东芝与存储卡制造商SanDisk共同出资。
不过很快有媒体指出，即便第四座工厂投入运作，东芝的NAND型闪存产能仍无法与三星电子抗衡，为此，东芝计划在制造系统芯片的岩手地区追加第五座闪存芯片制造工厂，第五座工厂将在2008年前动工。
虽然东芝否认将建造第五座闪存芯片制造厂，但是东芝在半导体业务上的投入却不断持续增加，2005财年半导体业务资本支出曾由2510亿日元上调至2250亿日元，2006年2月再度上调至2890亿日元，投资手笔颇大。
不过就在东芝追赶三星的同时，三星亦于近日宣布将投资约7300亿韩元，改善闪存芯片生产线，以保持对竞争对手的优势。
iSuppli公布的数据显示2005年第三季度全球NAND型闪存市场销售额为29.71亿美元，三星电子市场份额为50.2%，东芝以22.8%排名第二，海力士以13.2%排名第三。
