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东芝否认兴建新闪存工厂


http://www.sina.com.cn 2006年03月14日 11:53 ChinaByte

  天极网3月14日消息(记者 顾萌)日前,日本东芝公司否认了该公司有意在第四座闪存芯片(Flash)制造厂的计划外,还将兴建第五座闪存芯片制造厂的消息。

  为了曾加NAND型闪存产量,东芝计划在日本三重县四日市兴建第四座闪存芯片制造厂,该厂采用90nm制程,满负荷运作时月产能可达10万片。新工厂建设周期约为两年,预计最快将在2007年投产,投资总额约为42亿美元,东芝与存储卡制造商SanDisk共同出资。

  不过很快有媒体指出,即便第四座工厂投入运作,东芝的NAND型闪存产能仍无法与三星电子抗衡,为此,东芝计划在制造系统芯片的岩手地区追加第五座闪存芯片制造工厂,第五座工厂将在2008年前动工。

  虽然东芝否认将建造第五座闪存芯片制造厂,但是东芝在

半导体业务上的投入却不断持续增加,2005财年半导体业务资本支出曾由2510亿日元上调至2250亿日元,2006年2月再度上调至2890亿日元,投资手笔颇大。

  不过就在东芝追赶三星的同时,三星亦于近日宣布将投资约7300亿韩元,改善闪存芯片生产线,以保持对竞争对手的优势。

  iSuppli公布的数据显示2005年第三季度全球NAND型闪存市场销售额为29.71亿美元,三星电子市场份额为50.2%,东芝以22.8%排名第二,海力士以13.2%排名第三。

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