【eNet硅谷动力消息】美国东部时间3月13日（北京时间3月14日）消息：三星电子公司宣称它将成为批量生产80纳米制程的512Mb的DDR 2 DRam（动态随机读写存储器）的第一家厂商。
三星电子公司说，公司依靠其80纳米制程生产工艺可以将先前90纳米制程的生产工艺的生产效率提高50％。
三星半导体公司DRam市场营销总裁Tom Trill说：“自从DDR 2于2004年首次面世以来，市场对于DDR 2的需求便一直很大，我们利用80纳米制程生产工艺可以更有效地满足今年DDR 2市场的需求增长。”
三星电子公司称，它可以从90纳米制程生产工艺平稳过渡到80纳米制程的生产工艺上，因为它所使用的许多基础工艺并没有很大改变，它只需对其产品生产线进行一些升级即可。
三星电子公司的凹槽数组晶体管（RCAT）技术的发展推动了其生产工艺向80纳米制程的跃迁。 这种三维晶体管设计布局极大地提高了数据存储器中的关键性部件即刷新率。
凹槽数组晶体管技术也减少了存储单元的截面积，增加了单位硅片上所能安装的芯片个数，从而提高了工艺制程。
据Gartner公司预计，在2006年，DDR 2存储器将占据整个动态随机读写存储器市场50％以上的比例。
作者：王飞
