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内存市场短暂过热 闪存产能过剩将拖累价格


http://www.sina.com.cn 2006年02月24日 13:13 太平洋电脑网

  作者:Bessie

  据市场研究公司iSuppli的分析,在不久的将来,NAND闪存的产能过剩有可能会对DRAM的价格产生负面影响。

  这一消息会让早前根据市场反馈增产的闪存供应商清醒过来。iSuppli预期,NAND的
市场疲软将波及到DRAM市场,使DRAM的市场环境恶化。尤其对于那些同时生产两种芯片的厂家而言,可能会得不偿失。

  iSuppli称,DRAM市场在1月份因为供应商成功提高OEM合同价而有所复苏。据报道,两家最大的DRAM供应商——韩国的三星电子及现代半导体最近都提高了DRAM的价格。此前,Gartner的数据显示2005年DRAM市场的收入下降了五个百分点。

  但iSuppli的分析师Nam Hyung Kim认为DRAM的复苏可能只是昙花一现。在一份最近的报告中,Nam Hyung Kim称现在DRAM市场过热,有过多的投机者和买家过度关心DDR2 SDRAM的价格动态,这已经导致其OEM价格在本应疲软的时期反常升高。

  Nam Hyung Kim指出:三星和现代正将其生产线从NAND转为DRAM,而另外两家厂商英飞凌和Elpida也宣布计划增加DRAM的出货量,这都会使情况进一步恶化。但考虑到内存厂商在NAND闪存市场上的惨败,它们采取这样的措施毫不为奇。

  DRAMeXchange最近发现:2~8G NAND闪存的现货价格有所下降,投资分析家对内存厂家的股市价格并不表示乐观。

  iSuppli表示,季节性需求的回落,再加上超量预订及存货调整等因素,使NAND闪存市场面临短暂的停滞阶段。第一季度,那些采用NAND闪存芯片的公司的销售都有所变缓,比如销售iPod的

苹果

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