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IBM将展示30纳米微芯片


http://www.sina.com.cn 2006年02月21日 09:23 ChinaByte

  天极网2月21日消息(羽人 编译)据外电报道,蓝色巨人IBM日前表示,其研究人员已经在技术上取得突破,可以把硅芯片上的电路线宽缩小到30纳米以下。本周一,在圣何塞举行的一次光刻会议上,一些科学家称他们已经能够把电路线宽降到29.9纳米。这比人的头发细3000倍,是目前芯片业中主流90纳米电路线宽的三分之一。

  芯片制造商们一直努力寻求减小芯片部件体积,以便在硅片上配置更多的部件,从
而延续为期40年之久的摩尔定律。摩尔定律预计,每隔十八个月,一块芯片上的晶体管数量就会增加一倍。

  芯片业内的目标之一就是要降低电路线宽,从90纳米到65纳米再到45纳米,然后再向32纳米努力。业界普遍认为32纳米是现有光刻技术的极限。然而,IBM阿尔马登研究中心及其硅谷合作伙伴JSR Micro公司称,它们能够利用新的沉浸技术扩展目前的光刻技术。

  IBM阿尔马登研究中心光刻材料经理Bob Allen说:“我们的目标是尽我们最大努力推动光刻技术的发展。业界只有在不得以的情况下,才会采用成本较高的其他技术。目前我们所取得的成就有力地证明,业界在从根本上改变芯片生产技术之前,至少还有七年的时间。”(完)

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