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日本开发出高速大容量磁性随机存取内存


http://www.sina.com.cn 2006年02月08日 18:03 新华网

  新华网东京2月8日电 (记者 钱铮) 日本东芝公司和日本电气公司近日宣布,两家公司联合开发出了高速大容量的磁性随机存取存储器(MRAM),其数据存取速度和存取容量两项指标同时刷新了世界纪录。

  据当地媒体8日报道,新型MRAM的记忆容量为16兆比特,存取数据的速度达每秒200兆字节。另外,其电源电压仅为1.8伏特,达到现有同类存储器的最低值,便于在小型移动电器
上安装使用。

  在传统的MRAM中,需要有电流驱动线路产生用于存储数据的磁场,但这种线路会影响到数据的读取,导致MRAM的整体速度难以提高。新型MRAM改良了线路构造,将存储电流和读取电流分开,实现了数据的高速存取。

  MRAM具有即使被切断电源其中存储的数据也不会丢失、可无限次改写、存取速度快等优点,但与动态随机存取存储器(DRAM)相比,其明显缺点是记忆容量小。

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