英飞凌联手中芯产90纳米DRAM | |||||||||
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http://www.sina.com.cn 2006年01月10日 04:29 每日经济新闻 | |||||||||
6日,英飞凌和中芯国际宣布,双方已经签署合作协议,进一步扩展在标准记忆芯片(DRAM)产品生产领域中的现有合作,开始90纳米标准的产品合作生产。根据新协议,英飞凌将把自己最尖端的90纳米DRAM沟槽技术和300毫米产品生产技术转让于中芯国际,并可在未来期间灵活进行其70纳米技术的进一步转让。因此,中芯国际将为英飞凌独家生产属于此技术范围内的产品。张丹
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