英特尔突破晶体管工艺 将延长摩尔定律寿命

　　新浪科技讯 北京时间12月10日消息，据国外媒体报道，英特尔目前正在研发新的晶体管工艺，它可以在提升处理速度的同时大幅度降低功耗。这项最新晶体管工艺将成为英特尔芯片业务未来十年的发展基础。

　　晶体管是芯片的重要组成部分，主要用于控制芯片内部的电流。采用最新工艺的原型晶体管由英特尔和QinetiQ公司的研发人员完成，所采用的材料为砷化铟。业内人士预计，

砷化铟是硅的必要补充，它将把摩尔定律的有效期一直延续到2015年。1965年，英特尔创始人高顿-摩尔(Gordon Moore)提出，集成电路中每平方英寸晶体管的数量每年将增加一倍，这就是大名鼎鼎的摩尔定律。

　　行业观察人士认为，由于芯片的小型化已经接近极限，未来很长一段时间内芯片处理性能的提升将依赖于晶体管工艺的突破。按照最基本的概念，在单位面积的硅上增加晶体管数量将会提升集成电路的速度和功耗。英特尔表示，最新型晶体管可以将处理速度提升50%，但功耗只有现有芯片的十分之一。芯片功耗的降低有助于降低发热量，延长移动设备待机时间，同时也为更小、更强大产品的出现铺平了道路。

　　英特尔发言人约翰-卡西(John Casey)表示：“这是一个重大突破。通常情况下，提升速度和降低功耗相互矛盾，但最新的晶体管工艺可以有效地解决这一问题。”他同时称，砷化铟是一种III-V化合物

　　英特尔的新型原型晶体管是目前体积最小的晶体管，它需要的工作电压仅有0.5伏特，相当于现有芯片的一半，这就意味着它可以大幅度降低功耗。卡西表示：“我们并不只是关注处理器中晶体管的数量，还有密度。现在我们已经可以大幅度提升晶体管密度和电子迁移率。”不过，英特尔的新型晶体管要用于处理器还有很长一段路要走，技术人员必须解决整合硅和砷化铟所产生的一系列问题。卡西预计，基于最新晶体管工艺的商用产品最早也要到2015年才能面世。(马丁)