英飞凌宣称将不再建造90纳米以下芯片厂

http://www.sina.com.cn 2005年12月08日 09:45 eNet硅谷动力

　　作者：陆杨

　　【eNet硅谷动力消息】英飞凌董事长兼首席执行官Wolfgang Ziebart近日证实，该公司将不会建造90纳米以下的工厂，而是转向轻晶圆厂 (fab-lite)策略。Ziebart表示，他怀疑会有多少公司能够经营自己的65纳米、300mm晶圆厂。

　　Ziebart提到了英特尔)和德州仪器，但他认为，即使还有其它公司拥有足够的需求使其有理由投入40-50亿美元兴建65纳米工厂，但市场也是寥寥无几。Ziebart明确地表示，英飞凌计划继续经营在德国、法国和马来西亚的现有工厂，并认为这些工厂的技术仍将使用“相当长的一段时间”。

　　之前，英飞凌宣布计划扩大与新加坡特许

半导体(Chartered Semiconductor)之间的芯片代工合作。双方已签订65纳米逻辑产品制造协议，此一合作奠基于IBM、英飞凌、特许和三星共同开发65纳米技术计划。这四家公司将一同开发65纳米和45纳米制程。

　　以此看来，英飞凌是真的打算朝无晶圆厂公司的经营模式发展。此外，Ziebart还否认了之前关于英飞凌DRAM部门未必上市，而可能会与另一家公司合并的的报道。他表示，英飞凌DRAM部门首次公开发行(IPO)的策略已经确定，计划在明年年中左右进行。

　　但他也不否认，如果届时受到市场条件或其它因素的影响，可能导致其延迟上述IPO，或者考虑其它方案。