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英特尔意法半导体联手 合作开发65纳米闪存


http://www.sina.com.cn 2005年12月07日 11:18 太平洋电脑网

  作者:OZ

  全球主要内存生产商意法半导体公司(ST Microelectronics)将与Intel公司合作设计新的Nor Flash子系统,以降低手机产商的成本。这两间公司现时将会采用90纳米的制造工艺来生产NOR Flash。Intel公司和意法半导体公司正研究开发采用65纳米的制造工艺来生产下一代的NOR Flash。

  据意法半导体公司副总裁Giuseppe Crisenza称,一年半以来,两间公司已经合作开展有关用户界面和子系统的研发工作。

  首批采用90纳米技术制造的MLC NOR闪存规格是512兆,明年第一季度,2间公司将会合作生产128兆的SD RAM和 Pseudo RAM,而在明年第三季度,将会开始生产256兆的SD RAM和64兆的PS RAM。两间公司还计划使用65纳米的生产技术生产1GB的内存。首批生产内存的运行频率为133MHZ,运行电压为1.8伏。

  这两间公司强强合作,将使其产品会具有非常大的市场

竞争力。这两间公司将计划提供大约占40%市场份额的NOR闪存。

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