三星公司推出16G闪存卡 突破50纳米技术瓶颈 | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
http://www.sina.com.cn 2005年09月12日 15:35 新华网 | |||||||||
新华网消息 据法新社报道,韩国三星公司12日推出容量为16G的NAND闪存盘,并且突破了50纳米的技术瓶颈。 三星公司表示,一个新的闪存卡可以存储200年每天40页对开的报纸,或者8000首歌,或者32小时DVD质量电影。
三星公司公司表示,他们是世界上第一家突破50纳米技术瓶颈的公司。新型芯片每个包含 有164亿个晶体管,每个晶体管大小在1至2微米,也就是人的头发丝的宽度。目前闪存芯片制造使用的是80纳米技术。 三星公司计划2006年下半年开始16G NAND 闪存芯片的大批量生产。公司预计2010年该种芯片销售额将达到140美元。 三星半导体事业群CEO黄昌圭表示,“消费者希望看到更小、更时髦的移动设备。研制高性能、高密度、低能耗的存储设备就成了对生产商最大的挑战。”(林杉) |