65纳米工艺即将投产英特尔将转向45纳米

http://www.sina.com.cn 2005年08月19日 09:47 赛迪网

　　作者:刘彦青

　　【赛迪网讯】8月19日外电消息，由于0.065微米(65纳米)生产工艺即将正式问世，因此在即将举办的“英特尔

开发商论坛”(IDF)上，英特尔公司将开始讨论0.045微米(45纳米)生产工艺。

　　据消息人士透露，电流泄露问题已经解决，这里指的是解决，而非减轻。除非IBM、AMD也能做到这一点儿，这将是英特尔公司获得的一大优势。这将使得它在移动，以及其它对能耗敏感的领域获得更大的优势。

　　根据我们了解的情况判断，在电流泄露问题方面，0.065微米工艺要优于0.09微米工艺，但只是有所进步，而没有彻底解决这一问题。0.045微米生产工艺也取得了一些进展。

　　这意味着在0.045微米生产工艺问世前，Yonah将继续存在下去，Merom芯片的能耗将略高于大多数低能耗

笔记本电脑芯片。双内核的Merom的能耗为9瓦特，单内核Yonah的能耗只有5.5瓦特。当Penryn问世后，低耗将进一步降低，Yonah也将“退休”。(

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