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三星与现代争夺闪存市场 台厂DDRⅡ趁虚而入


http://www.sina.com.cn 2005年08月05日 14:19 ChinaByte

  刘易守 编译

  据港台媒体报导,正当2大韩系DRAM晶圆厂三星电子(Samsung Electronics)及现代(Hynix)于NAND型快闪存(Flash)市场陷入激战之际,台湾地区DRAM厂却纷纷大举投入90纳米制程的建军备战,重兵部署2006年全球DRAM市场主流产品DDRII。台湾地区DRAM厂表示,现阶段唯有加紧拉高90纳米制程生产良率,才能有机会于2006年胜出,因为2006年DRAM厂决胜关
键就在于90纳米制程。

  台湾地区DRAM厂指出,近几个月来,2大韩系DRAM厂对于标准型DRAM几乎是无心恋栈,所有心思均放在NAND型Flash生产上,主要原因系现阶段NAND型Flash毛利仍远优于标准型DRAM,三星甚至公开表示,就算三星已成为全球第一大NAND型Flash供应商,但仍不会减少对于NAND型Flash的生产。

  现代对于NAND型Flash态度也是一面倒情况,估计2005年底前来自NAND型Flash营收贡献度,将占现代整体营收比重逾40%,因此,对于标准型DRAM产出也显得意兴阑珊。台湾地区DRAM厂认为,尽管三星及现代也不遗余力投入先进制程,但相比之下,仍明显不如台厂动作积极。

  台DRAM厂方面,目前茂德(5387)正全力投入90纳米制程,预期在2005年下半及2006年真正能挹注茂德营收增长的,便是来自于中科12寸厂的90纳米制程生产线,茂德将凭借90纳米制程,在2006年推升产出增长逾80%,加上2006年DRAM产业进入DDRII世代,惟有仰赖采90纳米制程的12寸厂,才能主导市场。

  茂德董事长陈民良表示,茂德到9月时90纳米制程投片量将达3,000片,12月会提升到7,000片,比原定计划进度提早约2个月。他认为,90纳米制程进度是愈快愈好,因为2006年DRAM市场决战点,便在于谁能拥有比多90纳米制程产能。

  力晶(5346)方面,预计11~12月便将进入90纳米制程量产,并在年底占力晶整体产出量约10%。力晶表示,加快导入90纳米制程量产,在于唯有采用90纳米制程,才能够产出现货市场或OEM电脑大厂所要的DDRII 667规格产品,由于力晶90纳米与0.10微米制程技术属于同一世代,因此,有信心在短期内快速拉高90纳米制程产出。

  至于华亚科,目前对于90纳米制程同样是全力以赴,由于华亚科现已全数投入DDRII产品,到2006年若欲与其他新进12寸厂一比高低,绝对必须尽快导入90纳米制程,才有机会在市场上胜出。



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