台积电拟进行新一代传感器制造 | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
http://www.sina.com.cn 2005年07月09日 12:13 eNet硅谷动力 | |||||||||
【eNet硅谷动力消息】 台积电昨(8)日宣布,与美商伊士曼柯达(Eastman Kodak)签订技术专利授权合约,取得后者提供的四个晶体管像点架构(4T transistor pixel)及铰接光电二极管像点架构(Pinned photo-diode pixel)等技术专利,进行新一代高阶互补金属氧化半导体影像传感器(CMOS Image Sensor, CIS)的制造。 台积电表示,其去年为全球客户生产制造的CIS组件数量,占去年全球CIS总产量的
台积电表示,伊士曼柯达希望借着授权其CIS技术,进一步拓展CIS产品的应用并加速CIS组件的商业化步伐。根据此项合约,伊士曼柯达公司授权台积公司使用其4T 像点架构及铰接光电二极管像点架构等关键的CIS技术专利。这些技术可提升CIS的影像品质、效能及分辨率,使其品质可以与最小尺寸光电荷耦合影像感测组件(Charge-coupled Device, CCD)媲美。 |