英飞凌05年底前两成DRAM采用90纳米制程 | ||||||||
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http://www.sina.com.cn 2005年06月20日 10:37 赛迪网 | ||||||||
【赛迪网讯】6月20日消息,根据Euro am Sonntag引述英飞凌董事Andreas cvon Zitzwitz报道,英飞凌预计年底前两成电脑内存芯片将转换成最具成本效益的90纳米制程,较预期时程提早。 据港台媒体报道,英飞凌目前约有5%的动态随机存取内存DRAM采用90纳米制程。
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